Information about http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/2N4921-D.PDF
2N4921, 2N4922, 2N4923 2N4923 is a…
Tags: ampere, amplifier applications, complement, construction 1, driver circuits, general purpose, high performance, maximum ratings, medium power, pd, performance plastic, power transistors, preferred device, saturation voltage, silicon transistors, symbol value, vcb, vce, volts, watts,Pages: 6
Language: english
Created: Fri Jan 20 18:45:39 2006
Display cached document
Page 1
Page 2
Page 3
Page 4
Page 5
Page 6
2N4921, 2N4922, 2N4923
2N4923 is a Preferred Device
Medium-Power Plastic
NPN Silicon Transistors
These high-performance plastic devices are designed for driver
circuits, switching, and amplifier applications.
Features http://onsemi.com
╥ Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A
╥ Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - 1.0 AMPERE
PD = 30 W @ TC = 25_C GENERAL PURPOSE
╥ Excellent Safe Operating Area POWER TRANSISTORS
╥ Gain Specified to IC = 1.0 A
40-80 VOLTS, 30 WATTS
╥ Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
╥ Pb-Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
нннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннн
Collector-Emitter Voltage 2N4921 VCEO 40 Vdc
ннн н нн
нннннннннннннннннннн 2N4922
2N4923
60
80
TO-225
CASE 77
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
н н н
н н н
Collector-Emitter Voltage
ннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
н 2N4921 VCB 40 Vdc 3
2 1
STYLE 1
2N4922 60
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
нннн н н
н н н н
н н
Emitter Base Voltage
2N4923
VEB
80
5.0 Vdc
н н н
н н н
ннннннннннннннннн
Collector Current - Continuous (Note 1) IC 1.0 Adc
MARKING DIAGRAM
ннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
н 3.0
нннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннн
ннн н н
н н н
Base Current - Continuous IB 1.0 Adc
нннннннннннннннннннн
н н н
н н н
нннннннннннннннннннн
Total Power Dissipation @ TC = 25_C
Derate above 25_C
н н н н
н н
н н
ннннннннннннннннннн PD 30
0.24
W
mW/_C
1
YWW
2
Operating and Storage Junction TJ, Tstg ╜65 to +150 _C
нннннннннннннннннннн
н н н
н н н н
Temperature Range
N492xG
н н н н
THERMAL CHARACTERISTICS (Note 2)
Characteristic Symbol Max Unit Y = Year
нннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннн
н
Thermal Resistance, Junction-to-Case
нннн н н
н н qJC 4.16
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
_C/W
WW = Work Week
2N492x = Device Code
x = 1, 2, or 3
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not G = Pb-Free Package
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected. ORDERING INFORMATION
1. The 1.0 A maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 A maximum value is based upon actual current handling capability of Device Package Shipping
the device (see Figures 5 and 6). 2N4921 TO-225 500 Units / Box
2. Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.
*Indicates JEDEC Registered Data. 2N4921G TO-225 500 Units / Box
(Pb-Free)
2N4922 TO-225 500 Units / Box
2N4922G TO-225 500 Units / Box
(Pb-Free)
2N4923 TO-225 500 Units / Box
2N4923G TO-225 500 Units / Box
(Pb-Free)
*For additional information on our Pb-Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Preferred devices are recommended choices for future use
Reference Manual, SOLDERRM/D. and best overall value.
╘ Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 1 Publication Order Number:
January, 2006 - Rev. 11 2N4921/D
2
http://onsemi.com
*Indicates JEDEC Registered Data.
нннн н н
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннн н н 3. Pulse Test: PW 300 ms, Duty Cycle 2.0%.
- 25 (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
- hfe
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннн н нннннннннннннннннннннннннн Small-Signal Current Gain
н н н н
н н н н
н н
100 -
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
pF Cob Output Capacitance
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н
нннн н н н
н н н н
- 3.0 (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
MHz fT
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннн
н н н Current-Gain - Bandwidth Product
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
1.3 -
нннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
Vdc
нннн н н н VBE(on)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н Base-Emitter On Voltage (Note 3)
1.3
н н н н
н н н -
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннн (IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
Vdc VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н
н н н н
0.6 - (IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
Vdc VCE(sat)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н
нннн н н н н Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 3)
- 10
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннн
н н н
н н (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
150 30 (IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
-
н н н н 40
ннннннннннннннннннннннннннннннннн (IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
- hFE
нннн нннн нннннннннннннннннннн
н DC Current Gain (Note 3)
ON CHARACTERISTICS
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннн ннннн
1.0 - (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н
н
mAdc IEBO Emitter Cutoff Current
нннн н н н
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н
н н 0.1 - (VCB = Rated VCB, IE = 0)
mAdc н н ICBO
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннн н н
н н н н
н н н Collector Cutoff Current
0.5 -
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннн
н н (VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C
0.1 - (VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
mAdc
н ICEX Collector Cutoff Current
нннн н н н
нннн н н н
н н н н
н 0.5
0.5
-
-
н
2N4923 (VCE = 40 Vdc, IB = 0)
н н н н 2N4922
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннн (VCE = 30 Vdc, IB = 0)
0.5 - 2N4921 (VCE = 20 Vdc, IB = 0)
mAdc
нннн н н н ICEO
нннннннннннннннннннннннннннннннн
н н Collector Cutoff Current
- 80
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннннн
н н н
н 2N4923
- 60 2N4922
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н
нннннннннннннннннннннннннннннн
- 40 2N4921 (IC = 0.1 Adc, IB = 0)
Vdc VCEO(sus)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннн ннннннннннннннннннннннннн
н н н Collector-Emitter Sustaining Voltage (Note 3)
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
н н н н OFF CHARACTERISTICS
Unit Max Min Symbol
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
ннннннннн н
н н Characteristic
ннннннннннннннннннннннннннннннннн
нннннннннннннннннннннннннннн ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted)
2N4921, 2N4922, 2N4923
2N4921, 2N4922, 2N4923
40
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
30
20
10
0
25 50 75 100 125 150
TC, CASE TEMPERATURE (╟C)
Figure 1. Power Derating
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.
APPROX
TURN-ON PULSE
+11 V
t1 VCC
Vin RC
Vin
VBE(off) RB
Cjd